罗姆已量产顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET

■高耐压功率MOSFET"R5050DNZ0C9"的主要特点

    业内顶级的低导通电阻
    具有卓越散热性能的TO247PLUS封装

■利用了Si深蚀刻技术的超结结构
采用纵向p层一次成型的Si深蚀刻技术。
不仅可简化工序，而且适合微细化。

利用了Si深蚀刻技术的超结结构

■导通电阻降低47%
※以传统产品为"1"为例
导通电阻降低47%

日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)面向太阳能发电的功率调节器市场，开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET"R5050DNZ0C9"(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
本产品采用散热性卓越的TO247PLUS封装，于9月中旬开始提供样品(样品价格：1000日元/个)，并已于2011年12月份开始投入量产。

随着节能趋势渐行渐强，作为可再生能源的代表，太阳能发电市场规模不断扩大。其功率调节器领域，正在努力通过电源转换效率的改善实现节电，因此对实现更低损耗的功率MOSFET的需求不断高涨。罗姆此前也一直利用多层外延生长方式，为客户提供多层纵向pn结的超结结构的功率MOSFET，持续为高效化作出了貢献。但是，由于这种方式的制造工序复杂，因此具有难于微细化和提高生产性能的课题。

此次，罗姆采用纵向p层一次成型的Si深蚀刻技术，通过微细化及杂质浓度的优化，与传统产品相比，将导通电阻成功降低了约47%。此产品不仅非常适合低导通电阻容易体现出来的转换器部分，而且与罗姆制造的快速恢复二极管或SiC肖特基势垒二极管等相组合，还可应用于逆变器。由于可以大幅降低电源转换时的损耗，因此将会大大有助于提高太阳能发电的效率。另外，为了适用于bat·365（中文）官方网站中国有限公司种类的电路方式，罗姆在采用本技术进一步完善高耐压产品线的同时，还将不断扩充"PrestoMOS™"系列。

罗姆今后也会继续利用独创的先进工艺加工技术，不断推进满足顾客需求的前瞻性晶体管产品的开发。


■术语解说

    导通电阻
    功率器件动作时的电阻值。是影响功率MOSFET性能的最重要的参数，其值越小性能越高。
    超结MOSFET
    利用耗尽层在三维空间中的的拓宽，实现了比传统产品更低损耗的功率MOSFET。
    SiC(Standard Industrial Classification：碳化硅)
    带隙是硅的3倍左右、绝缘破坏电场是其10倍左右、导热率是其3倍左右，是具备优异物理性能的化合物半导体，这些特性适合功率器件应用和高温动作。罗姆在2010年4月实现肖特基势垒二极管的量产，并于2010年12月实现了MOSFET的量产。
    "PrestoMOS™"系列
    低导通电阻、低Qg并且实现了内部二极管的高速trr化的高耐压MOSFET系列。
    (Presto是指：源于意大利语的意为"极其快速"的音乐用语。)